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激光直写技术全面剖析:材料、机制与应用

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§ 1: 本文
今天学习激光直写技术。它已进入物联网、智能穿戴和柔性电子等领域,可用于制造光电探测器、摩擦纳米发电机、微型超级电容器、晶体管、忆阻器等器件。与传统光刻相比,激光直写的关键价值,是在同一数字化平台上完成材料合成、结构转换和高精度图案化。

Direct Laser Writing 微纳制造 材料转换 柔性电子

ADD增材

诱导沉积、光聚合与前驱体转化。

TRANSFORM转化

还原、氧化、烧结、碳化与石墨化。

REMOVE减材

选择性烧蚀、剥离与微通道加工。

INTEGRATE器件集成

信息、能源、传感和生物电子。

Direct Laser Writing From Materials Synthesis and Conversion to Electronic Device Processing综述论文
本文主要参考综述:Direct Laser Writing: From Materials Synthesis and Conversion to Electronic Device Processing。

应用背景
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随着物联网、智能穿戴和柔性电子快速发展,现代社会对电子器件的性能、形态和互联性提出了前所未有的需求。传统刚性电子器件难以覆盖可弯曲医疗传感器、嵌入复杂曲面的汽车电子、适应恶劣环境的工业监测设备等场景。这一变革带来三大核心挑战:材料兼容性、工艺适应性和生产高效性。

光刻、气相沉积等主流半导体制造技术虽然成熟,却依赖高温、高真空环境,严重限制了与新材料的兼容性。柔性电子所需的有机材料、纳米复合材料往往无法承受传统工艺的热应力;物联网设备的小批量、多品种生产需求,也与光刻的高模板成本和长周期特性形成矛盾。

为突破传统限制,行业尝试了多种替代方案:

  • 溶液加工技术: 支持低温生产和大面积柔性基材,但难以实现复杂电路的高精度图案化;
  • 3D 打印技术: 减少材料浪费,但依赖复杂墨水配方和后处理流程,效率受限;
  • 平面印刷技术: 喷墨印刷等方法可以逐层打印多种材料,但分辨率和结构自由度不足。

这些技术各有突破,却普遍面临**“精度、效率、成本”难以平衡的困境**。

在这一背景下,**激光直写技术(Direct Laser Writing, DLW)**以光控多任务制造能力,在单一系统中集成材料合成、结构转换与高精度图案化,重新定义电子器件的微加工范式:

  1. 材料兼容性: DLW 可同时处理刚性金属、柔性聚合物和有机半导体,甚至直接在基材上完成纳米颗粒合成、掺杂和结构转化,无需复杂前驱体或高温环境,为柔性电子与异质集成器件提供平台。
  2. 工艺效率: 通过计算机精确控制激光参数,DLW 实现“数字模板化”,不需要物理掩膜即可直接刻写复杂三维结构。双光子聚合可制造亚微米精度的微型传感器,激光烧蚀则能在毫秒级完成高导电路成型,显著缩短研发周期。

随着 5G、人工智能和绿色制造的发展,DLW 的“多材料、高精度、低能耗”特性,不仅加速柔性电子的商业化,更为量子芯片、仿生电子等前沿领域提供底层工艺支撑。从折叠屏手机中的纳米银线电路,到植入式医疗设备的生物兼容传感器,激光直写正在持续推动工业演进。

激光直写技术的材料机制与电子微加工应用总览
激光直写技术在电子微加工中的应用:光电探测器、气体传感器、摩擦纳米发电机、电池、微型超级电容器、晶体管、忆阻器、电化学生物传感器和电子皮肤。

什么是激光直写技术?
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基本定义

激光直写(Direct Laser Writing, DLW)是一种无需掩模的直接材料加工技术,利用高度聚焦的激光束与材料直接相互作用,实现精确的材料合成、转化或图案化

它可以在微米甚至纳米尺度上,在目标基板上精确“书写”或“绘制”所需功能结构,无需传统光刻工艺中的掩模板和复杂多步流程。

激光直写类型

ADLW增材式激光直写

激光诱导沉积、光聚合、前驱体溶液转化;用于金属导线打印和 3D 微结构制造。

TDLW转化式激光直写

激光还原、烧结、石墨化;用于氧化石墨烯还原、LIG 和金属氧化物半导体转化。

SDLW减材式激光直写

选择性激光烧蚀和剥离;用于电路图案化和微流体通道制造。

减材增材和转化式激光直写及其与其他制造技术对比
激光直写:(a)基于烧蚀加工的减材式激光直写;(b)增材式和转化式激光直写;(c)转化式激光直写;(d)激光直写与光刻、喷墨印刷、丝网印刷及 3D 打印的对比。

激光加工在电子制造领域经历了持续演变:

  • 1960 年代: 激光技术首次应用;
  • 1970 年代: 在 IC 制造中用于机械加工和掩模图案化;
  • 1980 年代: 激光光刻和激光退火技术;
  • 1990–2000 年代: 激光脉冲沉积(PLD)和激光退火(PLA);
  • 2010 年代: 激光诱导石墨烯(LIG)和柔性电子;
  • 2020 年代: 多材料激光打印微电子和大面积应用。
1960年代至2020年代激光加工在电子制造中的演变时间线
激光加工在电子制造领域的演变时间线。

这一演变表明,激光直写正从单一功能加工转向多功能、多材料集成系统制造。

激光系统与关键参数
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激光直写系统光源波长脉宽与三种运动控制系统
激光直写系统核心组件:(a)激光光源及组件;(b)常用光源波长与脉冲宽度;(c)移动光学划片系统;(d)移动平台与静态光学划片系统;(e)振镜写入系统。

DLW 系统的基本组成

激光源

  • 气体激光器:CO₂ 激光器、准分子激光器;
  • 液体激光器:染料激光器;
  • 固态激光器:光纤激光器;
  • 半导体激光器:二极管激光器。

光束特性

  • 波长:从紫外线(UV)到远红外线(IR);
  • 时间模式:连续波(CW)或脉冲;
  • 脉冲宽度:从毫秒量级到飞秒量级。

运动控制系统

  1. 移动光学系统: 通过物镜位移实现焦点移动,需要动态聚焦补偿;
  2. 移动平台系统: 依赖高精密气浮平台,对环境温度要求苛刻,工件惯性还会影响加速性能;
  3. 振镜扫描系统: 采用反射镜谐振扫描,并配合 f-θ 透镜校正场曲,加工速度快。

为提高生产效率,目前通常采用振镜扫描,移动平台效率相对较低。 具体系统仍需根据实际应用选择。

关键加工参数

1. 激光波长
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波长决定激光与材料相互作用的机制。

  • 低波长(UV):光子能量较高,能够引发化学键形成、异构化或断裂等光化学反应。对半导体材料,还可以激发电子、促进热化和载流子移除。
  • 高波长(IR):主要促进晶格振动,使光热效应占主导地位,引发能量积累和温度升高,适合热诱导材料转变。
  • 穿透深度: 波长直接影响光束在材料中的穿透深度,关系式为 δ = λ / 4πke。低波长通常穿透较浅,有利于表面处理;高波长穿透更深,可以进行体积加工。

2. 激光功率
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功率是主导光化学或光热效应的关键参数:

  1. 低功率: 光化学现象占主导;
  2. 中等功率: 可促进材料微观结构转变和相变,例如还原前驱体材料;
  3. 高功率: 可实现金属和金属氧化物烧结、退火,或诱导碳化、石墨化;
  4. 过高功率: 可能导致材料蒸发、升华或非预期消融。

3. 写入速度
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写入速度与功率共同决定作用区域获得的能量:

  • 低速度: 辐照点温度升高,邻近区域热积累增加;
  • 高速度: 热积累减小,适合需要精确控制反应区域的加工。

4. 脉冲特性:宽度与重复频率
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  • 脉冲宽度(PW): 从毫秒到飞秒不等,决定单个脉冲与材料作用的时间。长脉冲热扩散范围大、热效应明显;飞秒级超短脉冲能够产生非线性效应,促进光化学反应而非热效应,提高空间分辨率。
  • 脉冲重复频率(PRF): 决定单位时间内的脉冲数量并影响能量累积;它与写入速度共同决定脉冲重叠率,进而影响热积累和材料转化效率。

5. 光束聚焦与光斑尺寸
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  • 光斑尺寸: 由光学系统和波长共同决定,可通过焦距调整;
  • 焦点位置: 激光聚焦位置决定材料沉积的结构特性;
  • 能量分布: 高斯分布和平顶分布会产生不同加工效果,并影响均匀性。

6. 辐照气氛
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环境条件虽然不是激光参数,却会显著影响 DLW:

  1. 惰性气氛(氩气/氮气): 避免氧化,维持还原环境,提高部分材料的导电性;
  2. 环境气氛: 简化工艺、降低成本,但可能影响材料性能;
  3. 反应性气体: 促进特定反应,例如还原,或抑制过度热积累。
激光直写在能量域时间频率域和空间域的参数分布
激光直写在能量域、时间/频率域及空间域的加工参数分布。
波长功率速度脉冲焦点和光束分布对激光直写材料作用的影响
加工参数对 DLW 激光—材料相互作用的影响:(a)可见光与近红外激光烧结银纳米颗粒时的穿透、吸收和散射;(b)多种块体金属的吸收光谱;(c)等离子体金纳米团簇吸收光谱;(d)功率与时间对铜离子前驱体还原/氧化的影响;(e)不同写入速度下的温度分布;(f)连续波与飞秒脉冲的光热、光化学机理;(g)TMDC 沉积轮廓与聚焦关系;(h)CO₂ 激光脉冲重叠轮廓与离焦关系;(i)高斯和平顶光束对银纳米颗粒烧结的影响。

材料合成与转换机制
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激光烧结(Laser Sintering)

激光烧结最初广泛用于增材制造(AM)领域,主要处理金属、陶瓷和聚合物粉末。在微制造领域,激光烧结与微纳结构材料结合,用于高分辨率导体和半导体图案化。

工作原理: 激光辐照金属纳米颗粒前驱体,使相邻颗粒之间形成“颈”结构。热积累降低颗粒表面能,促进颈部形成和生长;颗粒聚合使表面积/体积比下降,最终形成连续导电结构。

技术优势:

  • 飞秒等超短脉冲激光能够更精确地控制颈部生长、熔化和再结晶;
  • 选择性加热把热量限制在特定区域,避免整个基底受热;
  • 可在玻璃、硅/二氧化硅晶圆等刚性基底,以及聚酰亚胺、PET、纸等柔性基底上形成高分辨率导电线路。

需要注意:前驱体膜厚与激光参数的匹配至关重要,厚膜在烧结时容易形成气泡,导致图案不均匀。

激光烧结适合后端互连、电极制备和柔性电子导电路径形成,提供了一种无掩模、低温且兼容多种基底的加工方案

纳米颗粒颈形成飞秒烧结与银膜电阻率相关的激光烧结机制
纳米结构前驱体激光直写烧结机制:(a)金纳米颗粒 DLW 烧结;(b–d)4 nm 和 8 nm 金纳米颗粒在不同温度下颈形成与生长的分子动力学;(e)颈宽与电阻率;(f)飞秒激光烧结银纳米颗粒的 TEM 与选区电子衍射;(g)蒸汽捕获机理;(h–i)写入速度对烧结银膜电阻率的影响。

激光诱导还原(Laser-Induced Reduction)

激光诱导还原通过光子诱导化学反应,将金属离子还原为金属纳米颗粒,可在柔性基底上图案化导电层,包含三类机制:

  • 多光子和双光子吸收(MBA/TPA)机制: 高通量激光,通常为飞秒激光,激发电子并引发金属离子还原;双光子还原(TPR)需要超短脉冲提供足够能量。
  • 光热还原机制: 较长脉宽或连续激光通过热作用激活还原剂;热刺激和还原剂分解促进电子转移,还原金属离子。
  • 金属氧化物还原机制: 以氧化铜、氧化镍等金属氧化物纳米颗粒作为前驱体,在还原剂存在时通过激光移除氧,形成金属导电结构。

激光诱导还原提供了低温、低成本且环境友好的直写方法,特别适合温度敏感基底上的集成电路(IC)互连、电极等导电结构制备。

银离子与氧化铜前驱体的激光诱导还原及流动更新机制
DLW 微加工的激光诱导还原机制:(a)激光诱导银还原;(b)焦点位置对合成结构的影响;(c)辐照路径上的马兰戈尼流与前驱体更新;(d)半导体纳米颗粒光引发剂辅助金属离子还原;(e)氧化铜纳米颗粒还原烧结形成金属铜图案。

激光诱导氧化(Laser-Induced Oxidation)

激光诱导氧化最早在铬薄膜上实现,利用低于蒸发阈值的激光通量引发化学反应,形成稳定氧化物图案。

基本过程:

  1. 在富氧环境中以激光辐照金属薄膜,促进金属与氧发生反应;
  2. 反应包括表面能量吸收与温升、氧分子在表面粘附和解离、亚原子层形核、颗粒输运、新层生长五个主要步骤。

这项技术可精确制备金属氧化物半导体、栅极绝缘层和传感材料,尤其适合温度敏感器件的集成。

硫化钒和溶液前驱体的选择性激光诱导氧化机制
基于 DLW 的选择性激光诱导氧化:(a)硫化钒薄膜氧化形成氧化钒图案;(b)膜厚与激光强度调控氧化钒物相;(c)溶液前驱体 DLW 氧化;(d)基于溶剂热分解的金属氧化物合成机制。

激光诱导选择性金属化(LISM)

激光诱导选择性金属化虽然不是直接材料合成方法,却为基底激活和后续选择性金属沉积提供有效路径。

工艺流程:

  1. 基底材料准备: 通常采用聚合物基质与激光敏化剂的复合体;
  2. 激光激活: 敏化剂吸收能量并分解,使特定区域具备化学镀活性;
  3. 化学镀: 在活化区域选择性沉积金属层。

激活机制: 金属前驱体还原可在基材表面形成微观粗糙结构,并生成银、铜等金属纳米颗粒;在特定条件下,这些颗粒能够辅助催化化学镀。

LISM 为复杂基底上的互连线路、电极和天线提供简便方案,尤其适合柔性电子和 3D 结构电子制造。

SEPS ATO基板激光活化和选择性化学镀铜的LISM工艺
用于 LISM 的 DLW 活化机制:(a)近红外激光活化 SEPS/ATO 基板的工艺步骤;(b)活化图案及微观形貌;(c)化学镀铜后的铜膜结构。

激光碳化和石墨化(Laser Carbonization and Graphitization)

激光碳化和石墨化通过光热效应引起晶格振动和热积累,把含碳前驱体转化为石墨烯类碳材料。

物理化学转变:

  1. 高温促使化学键断裂,释放富氧挥发物,碳重新组织成六方晶格;
  2. 碳原子从原始杂化状态转变为富 sp² 化学结构;
  3. 碳化形成结晶度较低的碳结构,石墨化则形成石墨堆积度更高的结构。

激光诱导石墨烯(LIG): James Tour 研究组于 2014 年首次通过 CO₂ 激光处理聚酰亚胺获得 LIG。该材料具有多孔三维网络和高导电性,其形貌可通过激光聚焦、能量密度和脉冲参数调节,并能在多孔结构与纳米纤维之间转变。

LIG 可用于石墨烯电极、传感器和超级电容器,具有低成本、可直写和环境友好等优势,特别适合柔性电子、可穿戴设备和物联网。

聚酰亚胺和木质前驱体激光碳化石墨化及LIG结构调控
激光诱导碳化与石墨化:(a)聚酰亚胺碳化/石墨化;(b)LIG 的 TEM;(c)碳原子晶格 TEM;(d)LIG 截面 SEM;(e)辐照路径上的多孔形貌;(f)木质 LIG 拉曼 mapping 与 G 峰分布;(g)聚醚砜前驱体的分层合成及化学性质深度分布;(h–i)单、双前驱体层拉曼光谱;(j)离焦调控光斑尺寸与能量密度;(k)功率和离焦距离对形貌的影响。

新型激光加工电子材料
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这部分原文内容较多,以下结合各组图逐项展开。

激光合成金属氧化物

MoO2 ZnO和ITO金属氧化物的激光直写合成与图案化
激光直写金属氧化物:(a)CO₂ 激光制备 MoO₂ 图案;(b)多孔 SEBS/MoO₂ 的 SEM;(c)元素 mapping;(d)底部铂线增强吸收的 ZnO 图案制备;(e)不同辐照时间下 ZnO 的 SEM;(f)ZnO 图案半径随功率变化;(g)溶液前驱体制备 ZnO/ITO 两端器件;(h)元素 mapping;(i)ZnO/ITO 器件加工步骤;(j)写入速度对 ITO 线宽和电阻率的影响;(k)写入速度对 ITO 厚度的调控。

激光合成过渡金属硫族化合物

MoS2 WS2与异质结构的激光直写合成和图案化
基于 DLW 的二维过渡金属硫族化合物(TMDC)合成与图案化:(a)CO₂ 激光辐照四硫代钼酸铵制备 MoS₂;(b–c)辐照前后光学图;(d)前驱体与 MoS₂ 的拉曼光谱;(e)MoS₂ 的 AFM;(f)空腔诱导褶皱 MoS₂ 薄膜;(g)SiO₂ 基底上的 MoS₂ 合成;(h)预合成 MoS₂ 表面生长 WS₂;(i)MoS₂/WS₂ 异质结构显微图;(j)异质结构截面 TEM。

激光合成碳化物

Mo3C2 MoCx与Al4C3碳化物材料的激光直写合成
碳化物材料的 DLW 合成与图案化:(a)明胶媒介墨水的纸基 Mo₃C₂ 合成;(b)Mo₃C₂ 的 XRD;(c)金属水凝胶前驱体制备超薄过渡金属碳化物;(d)激光合成 MoCₓ 的 TEM;(e)PET 基底上 Al₄C₃ 的合成与柔性器件集成;(f)含碳化铝颗粒直写图案的 SEM。

激光诱导石墨烯(LIG)

芳香族木质纤维素和多糖类基底LIG合成与性能优化
芳香族、木质纤维素及多糖类基底的 LIG 合成:(a)芳香族液态前驱体 PGE-a 的结构;(b)转化后前驱体的稳定性和柔性;(c)多孔 LIG 的 SEM;(d)拉曼光谱优化;(e–f)3D LIG 微结构;(h–i)LIG 与碳化铁纳米颗粒的 TEM;(j)壳聚糖聚合物转化;(k–m)LIG 方块电阻的工艺—性能优化。

导电聚合物的激光加工

PEDOT PSS及其金纳米颗粒复合膜的激光直写改性
导电聚合物 DLW:(a)飞秒激光提升 PEDOT:PSS 导电性的机制;(b)导电性与能量密度;(c)导电性随温度和能量密度的变化;(d)改性前后薄膜光学图;(e)功率对透光率和厚度的影响;(f–i)PEDOT:PSS/金纳米颗粒复合膜的激光诱导相分离;(j)改性前后 AFM;(k)功率对 PEDOT/PSS 质量比的影响;(l)金纳米颗粒浓度对导电性的调控。

混合与复合材料的激光合成

银铜合金TMDC合金MoC氮掺杂碳及MXene复合材料的激光直写
合金、杂化材料及复合材料的 DLW 合成:(a)银/铜导电合金直写;(b–c)银铜含量和配方对应的 XRD;(d)TMDC 合金直写;(e–f)TMDC 合金图案;(g)MoC₁₋ₓ/氮掺杂碳复合材料;(h–i)组分半导体特性与碳化相/MoC₁₋ₓ 界面能带;(j)氟聚合物/MXene 电纺丝制备导电碳/MXene/TiO₂;(k)复合材料 SEM 与 EDS mapping。

激光直写在电子器件中的应用
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薄膜晶体管(TFTs)与忆阻器

DLW制造的场效应晶体管忆阻器安全电路NFC和多层互连
基于 DLW 的信息处理与电子互连:(a)PI 基底银微图案 OFET 阵列及截面;(b–c)弯曲前后的 OFET 输出和转移特性;(d)n 型 MoS₂ FET 转移曲线;(e)n 型 FET 迁移率;(f)p 型 WS₂ FET 转移曲线;(g)1×6 交叉开关忆阻器阵列与 Pt/Ag/ZnO 忆阻器机制;(h)HRS 与 LRS 在 10⁴ s 的保持特性;(i)基于 PUF 的 6×6 安全电路;(j)可自分解 NFC 标签;(k)不同尺寸 NFC 的 MHz 反射损耗;(l)玻璃侧壁与倒角银互连;(m)玻璃双面 LED 阵列与锂电池系统;(n)银片/PDMS 墨水与激光通孔制备可拉伸多层电路。

能量收集与存储系统

摩擦纳米发电机(TENGs)、电池、微型超级电容器(MSCs)

基于DLW的摩擦纳米发电机锌空气电池和微型超级电容器
基于 DLW 的能量收集与存储器件:(a)CuOx 墨水还原烧结的铜基 TENG,尼龙与 PVDF-TrFE 分别为正极和摩擦电材料;(b)不同接触频率下的开路电压;(c)TENG 驱动电致发光层与显示器;(d)氟掺杂 LIG 双面 TENG 与 DEG;(e)水滴冲击响应;(f)DEG 驱动 480 颗 LED;(g)Co₃O₄/LIG 锌—空气电池电极;(h)电池与应变传感器构成腕戴式自供电系统;(i)放电电压与应变同步监测;(j)MXene/1T-MoS₂ 多构型 MSC;(k)微米特征可编程设计;(l)非对称 MSC 循环伏安;(m)不同扫描速率下的面电容和体积电容;(n)30 个串联 MSC 的恒流充放电。

传感器领域的应用

光电探测器、气体传感器、湿度和温度传感器、机械传感器

DLW制造的光电气体温度和应变传感器
基于 DLW 的传感器:(a)Cu 与 CuOx 可逆激光氧化还原;(b)多光谱光电探测器单片集成;(c)聚氨酯丙烯酸酯基底柔性光电探测器;(e)晶圆级气体/光电探测器阵列;(f)气体传感器对挥发性物质的响应;(g)线性响应区间;(h)5×5 热敏电阻阵列;(i–j)人工热感受器的红外图与温度映射;(k)柔性 MoS₂ 应变传感器制备;(l)手腕和口罩中的 MoS₂ 应变传感器。

生物电子系统的应用

电化学传感器、可穿戴生物电子设备、电生理感知

DLW制造的纸基电化学传感器可穿戴监测神经记录和LIG电极
基于 DLW 的生物电子系统:(a–b)纸基电化学传感器横向、纵向流道集成;(c)碱性磷酸酶检测;(d)CRISPR 对 HPV16 的响应;(e)Janus-MoO₂ 可穿戴系统监测电生理与生化信号;(f)电化学传感单元;(g)汗液中咖啡因、尿酸和葡萄糖的连续监测;(h)基于 PEDOT:PSS 相变的神经记录装置及小鼠海马区原位记录与刺激;(i)荷包牡丹碱刺激前后局部场电位及傅里叶谱;(j)剪纸启发 LIG 电极及其拉伸特性;(k)不同活动状态下的心电图信号。

以上。

引用
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  1. Pinheiro, Tomás, Morais M., Silvestre S., et al. “Direct Laser Writing: From Materials Synthesis and Conversion to Electronic Device Processing.” Advanced Materials 36.26 (2024). DOI: 10.1002/adma.202402014.

原文发表于微信公众号“激光之研”,2025 年 3 月 14 日,重庆。查看原文。本页完整保留技术正文、参数、图注、结论与引用,并重新组织为适合博客阅读的版式。

作者
技术札记编辑部
记录背景、取舍、证据与边界,让工程判断能够被复查、连接与持续修订。
激光微加工 - 这篇文章属于一个选集。
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